Introduction
Carbone silicifié(Réfléchissant généralement au carbure de silicium, sic) est un matériau en céramique haute performance qui est largement utilisé dans divers champs de haute technologie en raison de ses excellentes propriétés physiques et chimiques. Voici ses principaux domaines d'application et ses détails de technologie de processus connexes:
1, champs d'application
Semi-conducteurs et appareils électroniques
Dispositifs électroniques électriques: utilisés pour fabriquer des dispositifs à haute tension, à haute température et à haute fréquence (tels que les MOSFET et les diodes), l'amélioration de l'efficacité de la conversion d'énergie et appliqué dans de nouveaux véhicules énergétiques, les onduleurs photovoltaïques, le transit ferroviaire, etc.
Dispositifs RF: les amplificateurs de puissance dans les stations de base de communication 5G bénéficient des caractéristiques à haute fréquence du SIC.
Dispositifs résistants à l'environnement extrêmes: vaisseau spatial, centrales nucléaires et autres scénarios avec un rayonnement fort et des températures élevées.
Matériaux à haute température et à l'usure
Composants du four industriel: éléments de chauffage, briques réfractaires (sic a un point de fusion jusqu'à 2700 degrés).
Joints et roulements mécaniques: En utilisant leur résistance élevée à la dureté et à l'usure, ils sont utilisés dans les pompes chimiques et les équipements minières.
Armure pare-balles: matériau d'armure composite léger.
Champ optoélectronique
Substrat LED: Utilisé pour la croissance des couches épitaxiales de nitrure de gallium (GAN) pour améliorer l'efficacité lumineuse.
Détecteur UV: SIC est sensible à la lumière ultraviolette et résistant aux températures élevées.
Nouvelle protection de l'énergie et de l'environnement
Station de charge de véhicules électriques: les dispositifs SIC raccourcissent le temps de charge.
Technologie d'énergie d'hydrogène: matériaux d'électrodes résistants à la corrosion dans les cellules électrolytiques.
Eads
Revêtement de la lame du moteur de turbine: améliore une résistance à haute température.
Composants structurels satellites: rigidité élevée, coefficient de dilatation thermique faible.
2, Points clés de la technologie du processus
Méthode de préparation
Méthode Acheson: La méthode traditionnelle implique de réagir du sable de silice avec du coke de pétrole dans une fournaise électrique à haute température (faible coût mais pureté faible).
Dépôt de vapeur chimique (CVD): croissance mince de grande pureté sic, utilisé pour les semi-conducteurs (tels que les gaz de réaction de SiH ₄ + C ∝ H ₈).
Transfert de vapeur physique (PVT): une technologie clé pour préparer des substrats monocristaux SIC de grande taille.
Difficultés de traitement
Coupe et polissage: SIC a une dureté élevée (dureté Mohs 9.2) et nécessite une coupe de fil de diamant ou un traitement laser. Le polissage nécessite des processus à l'échelle nanométrique.
Technologie du dopage: régulation des propriétés électriques par dopage azote (type N) ou dopage en aluminium (type p).
Fabrication d'appareils
Croissance épitaxiale: croissance épitaxiale de la couche SIC ou GaN sur le substrat SIC pour contrôler la densité des défauts.
Processus d'oxyde de porte: SIC / SIO ₂ La gestion des défauts de l'interface est au cœur de l'amélioration des performances MOSFET.
Nouvelle technologie
Impression 3D Céramique SIC: combinaison de pulvérisation de liant et de frittage à haute température pour fabriquer des composants en forme complexe.
Matériaux composites nano-siiques: améliorer la conductivité mécanique / thermique du polymère ou de la matrice métallique.

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Grade |
Composition chimique (%) |
|||
|
Sic |
FC |
FE2O3 |
Humidité |
|
|
Supérieur ou égal à min |
Moins que ou égal à max |
|||
|
Sic 90 |
90.0 |
3.0 |
1.20 |
0.50
|
|
Sic 88 |
88.0 |
4.0 |
1.50 |
|
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Sic 85 |
85.0 |
4.5 |
1.80 |
|
|
Sic 80 |
80.0 |
5.0 |
3.0 |
|
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Sic 70 |
70.0 |
8.0 |
4.0 |
|
Taille
1-10 mm, 0-10 mm, 0-5 mm, 0,5-5 mm; etc.
Pourquoi nous choisir?
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